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SiC功率模块是超充桩实现高效快速充电的关键技术。它通过高效率与低损耗提升能量转换效率，耐高温特性支持更高的功率密度和简化散热设计，并能适配800V等高压平台。这些优势解决了超充桩在充电速度、发热和体积方面的核心矛盾，推动快充基础设施向更高效、紧凑的未来发展。
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《柔性充电调功原理：碳化硅MOSFET实现98%能效电路拓扑》展示了SiCMOSFET在充电系统中的突破性应用。其低损耗、高频特性结合智能调功算法，效率高达98%，适用于电动车快充、工业电源等领域。该技术兼顾高功率密度与低温升，显著提升能源利用率，助力绿色低碳发展。碳化硅器件正引领充电技术革新，为高效、智能的能源未来奠定基础！
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7kW交流充电桩采用LLC谐振拓扑结构，通过零电压/电流开关（ZVS/ZCS）、变频控制和磁集成设计，实现94%超高效率，显著降低损耗与温升。相比传统硬开关方案，LLC电路兼具高效率、低EMI和宽负载适应性，成为中功率充电场景的理想选择，并为未来高功率快充和光储融合提供技术路径。
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