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  • 《柔性充电调功原理：碳化硅MOSFET实现98%能效电路拓扑》

    《柔性充电调功原理：碳化硅MOSFET实现98%能效电路拓扑》 2025-07-02 11:07:30 【文章】

    《柔性充电调功原理：碳化硅MOSFET实现98%能效电路拓扑》展示了SiCMOSFET在充电系统中的突破性应用。其低损耗、高频特性结合智能调功算法，效率高达98%，适用于电动车快充、工业电源等领域。该技术兼顾高功率密度与低温升，显著提升能源利用率，助力绿色低碳发展。碳化硅器件正引领充电技术革新，为高效、智能的能源未来奠定基础！