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《柔性充电调功原理:碳化硅MOSFET实现98%能效电路拓扑》
来源: 时间:2025-07-02

在新能源和智能充电技术快速发展的今天,高效、稳定的充电系统成为行业刚需。传统硅基功率器件受限于开关损耗和温度特性,难以满足高功率密度和高效能需求。而基于碳化硅(SiC)MOSFET的柔性充电调功技术,凭借其超低导通电阻、高频开关能力和优异的热稳定性,成功突破效率瓶颈,实现98%以上的能效转换,为充电设备带来革命性升级!

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技术优势:

  1. 超高效率:SiC MOSFET的快速开关特性大幅降低开关损耗,结合优化的谐振电路拓扑,系统效率可达98%,显著减少能源浪费。

  2. 高功率密度:高频运行能力减小无源器件体积,使充电设备更轻量化、紧凑化,适用于车载充电、快充桩等场景。

  3. 卓越热管理:SiC材料耐高温特性降低散热需求,提升系统可靠性,延长使用寿命。

  4. 智能调功:采用数字控制算法,动态调整充电功率,兼容多种电池类型,实现“柔性充电”,避免电池过充损伤。

应用场景:

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